Framleiðslutilgongd av Anti Reflective film

Tøknilig tilgongd
Veita vakstrartilfar og gasskeldur: Veita vakstrartilfar til anti- reflekterandi filmin, so sum SiO í summum útførslum, samstundis sum gasskeldur svara til vakstrartilfarið, so sum SiH 2, N 2 O, og N ₂ gasskeldusamansetingar.
Mynding av anti-refleksjónslagi: Brúka sama vakstrartilfar til at mynda í minsta lagi tvey anti-refleksjónsløg av anti-refleksjónsfilmi á undirlagslagnum. Undirlagslagið kann fevna um SiO-lag, Silag og upptøkulag í raðfylgju eftir rákinum av filmsvøkstrinum. Við at taka tvey-lags anti refleksjónslag (fyrsta anti-refleksjónslag og annað anti-refleksjónslag) sum dømi, verður tað myndað við epitaksiellari vakstrargongd (so sum plasma økt kemisk damp-avsetingarháttur PECVD). Tey ávísu stigini eru hesi:
Undirlagsviðgerð: Eftir hálvleiðarareinsitilgongd á undirlagslagnum, set undirlagslagið á CVD-útsetingarútgerðina.
Útgerðarparameturstillingar: Stýr ovaru elektroduhitanum á CVD-útsetingarútgerðini til 200-300 stig og niðara elektroduhita til 250-350 stig .
Vøkstur av fyrsta anti-refleksjónslagnum: Stilla fyrstu avsetingarparametrini av CVD-útsetingarútgerðini, herundir fyrsta rúmdarstreymsferðina hjá SiH 2, N 2 O, og N 2, fyrsta gasstrýstið, fyrstu RF-kraftina í CVD-útgerðarútgerðini, fyrstu tunnu films-avsetingartíðina, osfr., ella ein og hvør samanseting av hesum, fyri at vaksa fyrsta hugleiðingarlagið við einum tjúkt øki á 10-200nm og a brot indeksbil á 1,4-1,71.
Vøkstur av einum øðrum anti-refleksjónslagi: Stilla seinnu útsetingarparametrini av CVD-útsetingarútgerðini, herundir seinna rúmdarstreymsferðina hjá SiH 2, N 2 O, og N 2, seinna gasstrýstið, seinnu RF-kraftini í CVD-útsetingarútgerðini, seinnu tunnu filmsútsetingartíðina osfr., ella einhvør kombinatión av tí, fyri at vaksa eitt annað anti-refleksjónslag á fyrsta anti-speglingarlagnum, við einum tjúkdarøki av 10-200nm og eitt brot indeksbil á 1,4-1,71.

Tøkniligir fyrimunir
Við at nýta sama vakstrartilfar kann anti-refleksjónsfilmurin fáa somu anti-refleksjónseffekt í mun til stakkaðar anti-refleksjónsfilmar av ymiskum tilfari, og minka um sløgini av gasskeldum, sum verða nýttar, lækka trupulleikan við tilgerðartilgongdini, og at økja um tilgerðarrúmið og arbeiðsøkið orsakað av goymslu og nýtslu av gasskeldum undir fyrireikingartilgongdini.

Framleiðslutilgongd av hybridum SiO 2/TiO 2 anti reflekterandi film .

Tøknilig tilgongd
Fyrireiking av undirlagi: Vel gjøgnumskygd undirlag sum glas, organiskt glas, polyimidfilmur o.s.fr., og ger dálkafjerningsviðgerð fyri at tryggja eina reina og dust-fría yvirflatu. Um neyðugt, kann einsamallur{3}}síðu ella dupult{4}}síðu polering gerast fyri at betra um ljósflutningsvirknið.
Fyrireiking av filmsforstøðu: tetraethoxysilan (TEOS) og tetrabutyl-titanat (TBT) verða løgd afturat etanoli, sum inniheldur NH 2 OH í einum ávísum parti, og reaktiónin verður hildin fyri 9-12 tímar fyri at fáa eina gjøgnumskygda sol-gelskipan.
Húðing og herðing: tilrættalagda sol gelskipanin er javnt klædd á gjøgnumskygda undirlagnum, og spinhúð, sproyting, busting og aðrar skipanir kunnu nýtast. Eftir klædning er hybrid SiO 2/TiO 2 filmsforgangurin settur í ein ovn til herðing og gløðandi viðgerð, og myndar ein multi-lagsbygnað.
Rundhúð: Endurtak klædnings- og herðingargongdina, til ynskta anti-reflekterandi ávirkanin fæst. Neyðugt er við ymiskar klædnatíðir og sekvensir um avrikið hjá anti- reflekterandi filmum, og tørvur er á gransking og optimering.
Yvirflatuviðgerð: Fyri at økja um haldførið og stabilitetin í anti-reflekterandi filminum, kann eitt lag av hydrofilum og hydrofobum polymeri klæðast á yvirflatuni á anti-reflekterandi filminum.

Framleiðslutilgongd av infrareyðum anti- reflekterandi filmi
Tøknilig tilgongd
Infrareyði anti-refleksjónsfilmurin er grundaður á silikon og klæddur við anti-refleksjónsfilmum báðumegin undirlagið. Filmsskipanarbygnaðurin í anti-refleksjónsfilminum er óheftur av hvørjum øðrum sum (HL) ^ S, har H umboðar Si-lagið, L umboðar SiO-lagið, S umboðar tíðarskeiðið hjá HL grundbygnaðinum, og virðið á S er eitt heiltal millum 3-6. Si-lagið er við undirlagið, og SiO-lagið liggur á yvirflatuni. Lakktilgongdin verður brúkt til at festa filmslagið á undirlagið, við SiO filmslagi sum ytsta lagnum, sum hevur høgan yvirflatuharðleika og ikki krevur eitt eyka verjandi lag. Harumframt hevur SiO eitt lægri brotsindeks, sum kann minka um yvirflatu reflektivitetin og økja um infrareyða sendingina enn meira.

Framleiðslugongd av høgari-hitamótstøðuførum CO 2 lasara anti reflekterandi filmi
tøknilig tilgongd
Tilfarspremering: Serstakt forbráðningarviðgerð verður framd á ytriumfluorid, kalsium yttriumfluorid, og sink selenid filmstilfar til at taka burtur óreinindi inni í filmstilfarinum.
Avsetingarfilmslag: Fyrsta ytrium fluoridlagið, ytrium kalsiumfluorlagið, sinkselenidlagið og annað yttrium fluoridlag eru raðfylgjuliga sett á eitt sinkselenid undirlagslag við einum tjúkt á 3 ± 0,1mm við vakuum-damping. Dekningsøkið hjá hvørjum lagi er yvir 95% av yvirflataøkinum á undirlagslagnum. Fysisku tjúkdarkrøvini til hvørt lag eru hesi: fysiska tjúktin á fyrsta yttriumfluorlagnum er 95-100 nanometrar; Fysiska tjúktin á yterbium kalsiumfluorlagnum er 860-870 nanometrar; Fysiska tjúktin á sinkselenidlagnum er 240-250 nanometrar; Fysiska tjúktin á øðrum yttriumfluorlagnum er 95-100 nanometrar.
 

Tøkniligir fyrimunir
Tilrættalagda anti-refleksjónsmembranin hevur ein einfaldan bygnað og søtan sniðgeving. Tann fýra lagsamansetingin hevur eyðkennini við høgum hitamótstøðuføri, høgari transmittansu, fast membranlag, komplementerandi álag millum membranløg, og ikki slit av membranløgum. Hon kann lúka áhaldandi raksturin av komponentum undir høgum hitaumstøðum, og tilfarið, sum verður nýtt í hvørjum lagi, er ikki geislavirkið, sum ikki fer at elva til skaða á operatørar og umhvørvið.